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학과소개

Department of Semiconductor Engineering

교수진 소개

융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
박진섭

직위반도체공학과장

전공분야화합물반도체,광전자소자

학력Tohoku University 공학박사

박진섭 홈페이지

박진섭

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위반도체공학과장

학력Tohoku University 공학박사

전공분야화합물반도체,광전자소자

전화번호전화 아이콘02-2220-2318

경력
2022.03 ~ 현재 한양대학교 융합전자공학부 교수
2011.3 ~2021.02 한양대학교 융합전자공학부 부교수
2010.4 ~ 2011.2 서울대학교 융합기술원 연구교수
2009.4 ~ 2010.3 (미) UC 버클리 박사 후 연구원
2002.1 ~ 2008.1 삼성전기 광소자 선임연구원

추가 내용

<< 차세대 화합물 반도체 응용연구실 >>

다양한 화합물 나노반도체를 기반으로 차세대 메모리,  전력소자(SBD, HEMT), 에너지 하베스팅 소자 및 하이브리드 플렉시블 전자소자(센서 및 환경) 개발 및 응용 연구를 진행하고 있다.



1. 차세대 메모리 소자 및 열방출 설계

페로브스카이트 및 산화물을 기반으로 저항변화 스위치 소자를 개발하고 있으며,  이를 바탕으로 멤리스터등 인공지능반도체 접목에 관한 연구 진행하고 있음.

아울러 고집적화된 메모리소자의 최적 열방출 구조를 설계하고 COMSOL등을 이용한 해석 진행.


2. 와이드밴드갭 파워소자

질화물 및 SiC 박막을 이용한 SBD 및 HEMT소자를 제작하고,  누설전류를 줄이기위한 다양한 공정기술을 개발하고 있음.


3.  나노반도체 기반의 Energy Harvesting

화합물 반도체 및 산화물기반  나노구조체를 활용한 나노제너레이터 및 압전소자  효율 향상 기술 개발.

바이오, 센서등에 응용하기 위해 모색.


4. Self-powered  Sensor

페로브스카이트 재료를 활용한 자발전력 광검출기등  센서 소자 제작 및 유연 전자소자  적용 기술 개발.


5. ESG/나노재료 트랜스터 응용

나노재료 합성 및 환경분야 광촉매, 오염물질 제거에 대한연구를 진행하고 있으며, 나노구조체의 전사 방법을 개발하여 다양한 광전자소자에 응용진행.

 

※ 관심연구분야

인공지능반도체, 파워소자, 에너지 하베스팅, 전자소자, 유연센서소자, 전사기술

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융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
박재근

직위HYU 석학교수

전공분야반도체소자,공정

학력North Carolina State University 재료공학과 박사

박재근 홈페이지

박재근

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위HYU 석학교수

학력North Carolina State University 재료공학과 박사

전공분야반도체소자,공정

전화번호전화 아이콘02-2220-0234

경력
2011.7 ~ 현재 국가지식재산위원회 위원 및 지식재산 창출
전문위원회 위원장
2011.5 ~ 현재 한양대학교 석학교수
2010.11 ~ 현재 한국과학기술한림원 정회원
2008.8 ~ 2011.7 한양대학교 산학협력단 단장 학술연구처 연구처장,
한양종합기술연구원 연구원장
2008.4 ~ 2010.4 교육과학기술부 국가과학기술위원회 운영위원회 위원
및 지식재산 전문위

추가 내용

<< 첨단반도체소재 / 소자개발 연구실 >>
연구 분야는 크게 수직자화형 STT-MRAM, CBRAM, 플렉서블 유기메모리, Relaxed SiGe-on-Insulator (GOI-like) n-MOSFET, 나노 CMP 슬러리, 유기이미지센서, 플렉서블 유기 태양전지, 나노 실리콘 태양전지, 차세대 사파이어로 나눌 수 있다.


1. Flexible 메모리 분야
모바일형 플렉서블 유기 메모리 및 3차원 크로스바 구조 유기 저항 메모리, 저분자 자가정류 저항 메모리를 개발하고 있다.
 
2. 비휘발성 차세대 메모리 소자 분야
테라비트급 차세대 비휘발성 메모리 소자인 perpendicular spin-torquetransfer MRAM 및 conductive bridge RAM을 개발하고 있다.

3. Relaxed SiGe-on-Insulator (GOI-like) n-MOSFET 분야
Ge 농도에 따른 SGOI n-MOSFET의 이동도 향상을 연구하며 고성능 반도체용 SiGe 기반 n-MOSFET 및 GeO₂ 사용 가능한 SGOI 기반 n-MOSFET 에너지 밴드를 설계한다.

4. 나노 연마 입자 CMP 슬러리 분야
상변화 메모리 연마용 CMP 슬러리 및 자화 반전 메모리의 금속 배선(Ru, Ta) 연마용 CMP 슬러리, 텅스텐 및 구리 배선용 CMP 슬러리, 실리콘 및 실리콘 카바이드 연마용 CMP 슬러리를 연구한다.

5. 유기 CMOS 이미지 센서 분야
Green Sensitive 유기 포토다이오드를 사용한 고해상도 이미지센서 소자 및 Green Sensitive 유기 박막을 연구하며, 유기 포토다이오드와 4-트랜지스터 구동 방법을 설계한다.

6. 플렉서블 유기 태양전지 분야
고효율 광대역 Flexible 유기태양전지 및 유·무기 하이브리드 유기태양전지, 표면 플라즈몬 효과를 이용한 유기태양전지 특성 분석 및 개발을 한다.

7. 나노 실리콘 태양전지 분야
금속 불순물 오염에 따른 웨이퍼 및 소자 특성 확인, 나노와이어, 나노콘 및 초고효율 태양전지 개발에 대한 연구를 진행한다.

 
※ 관심연구분야
수직자화형 STT-MRAM, CBRAM, 플렉서블 유기메모리, Relaxed SiGeon-Insulator (GOI-like) n-MOSFET, 나노 CMP 슬러리, 유기이미지센서, 플렉서블 유기 태양전지, 나노 실리콘 태양전지, 차세대 사파이어

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자연과학대학 물리학과,나노반도체공학과의 사진
홍진표

직위HYU 석학교수

전공분야반도체 및 인공지능 재료/물리/소자

학력UCLA 이학박사

홍진표 홈페이지

홍진표

소속자연과학대학 물리학과,나노반도체공학과

직위HYU 석학교수

학력UCLA 이학박사

전공분야반도체 및 인공지능 재료/물리/소자

전화번호전화 아이콘02-2220-0911

경력
1992-1998, 삼성종합기술원 project leader
1998-현재, 한양대학교, 물리학과 교수
2007-현재, 나노반도체공학과 교수
2008-2009, 한양대학교 물리학과 학과장
2009-현재, 한양대학교 산학협력단 부단장
2009-현재, 한양대학교 기술이전 및 창업보육센터장

추가 내용

연구분야

  • Spintronic devices
    - High spin polarization materials (Half metallic materials)
    - Ultra thin oxide tunneling barrier materials
    - PMA multi-layer configuration for nano-scale Spin Torque Transport: doping process
    - Novel PMA single layer for Tunneling Magneto Resistance Junction
    - New seed layer architecture for low Jc/high Hc devices
    - Efficient spin injection/transport/detection using novel spin channels
  • Oxide material-based TFT for efficient channel
    - IGZO Co-sputtering &ZnO Sol gel fabrication process
    - Doping/ Annealing process on ZnO-based host materials
    - Intentional Oxygen ion or vacancy manipulation for high efficient channel
    - Flexible substrate &Transparence, Low temperature growth of semiconductor oxide
  • Novel functional materials and device for Nonvolatile memory applications
    - Nonvolatile ReRAM: Multi oxide layers
    - Oxide material-based selection devices:npn or pnp configurations
    - New binary and metal -doped oxide materials for resistive switching behaviors
    - Oxide material based diode architecture
  • Nano oxide materials-based Energy harvesting &Lighting emitters
    - Efficient growth of ZnO nanorods using CVD techniques
    - Efficient energy harvesting using doped and low temperature process
    - n/p-type energy harvesting materials: Doping process
    - Polymer based piezoelectricity
    - Tribo effect-based energy harvesting integrated with other physical functions
신소재공학부, 반도체공학과의 사진
전형탁

직위교수

전공분야SI 반도체 공정, ALD

학력North Carolina 주립 대학교, Materials Science & Engineering, 공학박사

전형탁 홈페이지

전형탁

소속신소재공학부, 반도체공학과

직위교수

학력North Carolina 주립 대학교, Materials Science & Engineering, 공학박사

전공분야SI 반도체 공정, ALD

전화번호전화 아이콘02-2220-0387

경력
1992.03 ~ Present 한양대학교 신소재공학부, 교수
1991.04 ~ 1992.03 현대전자 반도체 연구소, 선임 연구원
1990.12 ~ 1991.05 North Carolina 주립 대학교, Surface Science Lab, 박사 후 과정

추가 내용

반도체재료 연구실(Semiconductor Materials Lab)

본 연구실에서는 차세대 반도체 나노 소자에 적용이 기대되는 반도체 재료와 공정 개발에 관한 연구를 하고 있습니다. 주요 연구 내용은 메모리 반도체 분야, 차세대 Display 및 Passivation, Solar cell 응용 재료 및 공정분야입니다.
메모리 반도체 분야에서는 원자층 증착 기술을 이용하여 TiO2와 SnO2의 이용하여 스위칭 소자인ReRAM 연구와 Metal silicide를 사용한 전극 재료를 개발 중이며 MRAM에 대한 기초 연구를 진행하고 있습니다. 원차층 증착 기술은 차세대반도체 증착 기술에 가장 중요한 기술이 될 것이며, 본 연구실의 다양한 ALD 증착 장비를 이용하여 연구를 진행하고 있습니다.
차세대 디스플레이 및 solar cell 응용 재료 및 공정 분야에서는 디스플레이의 기본 스위칭 소자에 적용되는 metal oxide semiconductor 증착 및 특성 연구와 ZnO, TiO2, SnO2, AZO, GZO 등의 증착 온도와 다른 금속 도핑을 통하여 carrier density, conductance 등의 전기적 특성을 조절하여 디스플레이와 Solar cell에 사용되는 투명전극의 최적화 공정을 연구하고 있습니다. 또한, Al2O3 와 같은 negative charge를 갖는 금속산화물을 OLED의 보호막으로 사용하여 Solar cell 의 OLED 안정성을 높이는 연구를 수행 중이며, sulfide계열을 이용한 buffer층과 흡수층, 3차원 나노 구조를 이용한 Window층을 Solar cells에 적용하기 위한 많은 연구가 진행 중 입니다.
본 실험실에서는 위 연구를 수행하기 위해 단원자층 화학 박막 증착 장비인 thermal ALD, remote plasma ALD, DC biased remote plasma ALD 장비, DC/RF magnetron Sputter, e-beam & thermal evaporator 와 같은 증착 장비가 있으며, 후공정으로 열처리 및 Plasma 처리를 하여 박막 특성을 향상시킬 수 있습니다. 성장된 박막을 재료, 화학적인 측면과 전기적 측면에서 관찰하기 위해 기본 물성은 XRD, AFM, XPS, AES 등을 사용하여 분석하며 Hall measurement, C-V, I-V 등과 같은 Semiconductor Device analysis를 통하여 전기적 특성을 검토하고, Optical 특성 분석을 위한 UV-vis와 PL 분석 등을 바탕으로 새로운 반도체 재료의 소자 적용성을 검토합니다.

Our laboratory is researching Resistive RAM using TiO2 and SnO2, and metal gate electrodes which is going to substitute poly-Si gate and Co and Ni silicide to reduce the contact resistance in semiconductor devices using Atomic Layer Deposition (ALD) and basic study on MRAM. For next generation Display, We are researching IGZO, ZnO, SnO2 as active channel layer and Ti, TiN, Cu, Transparent conductive oxide (TCO) as electrode. Also, We are studying application for Solar cells and Passivation using various metal oxide and sulfide.
융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
정기석

직위교수

전공분야SoC설계, 임베디드시스템설계, 컴퓨터구조

학력Univ. of Illinois at Urbana-Champaign 전산학 박사

정기석 홈페이지

정기석

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위교수

학력Univ. of Illinois at Urbana-Champaign 전산학 박사

전공분야SoC설계, 임베디드시스템설계, 컴퓨터구조

전화번호전화 아이콘02-2220-0396

경력
2004.3 ~ 한양대학교 융합전자공학부 교수
2001.9 ~ 2004.2 홍익대학교 컴퓨터공학과 조교수
2000.7 ~ 2001.8 (미) Intel Corp. Staff Engineer
1998.7 ~ 2000.7 (미) Synopsys, Inc. Senior R&D Engineer
1997.9 ~ 1998.5 (미) Univ. of Illinois at Urbana-Champaign
강의전담 교수

추가 내용

임베디드 시스템온칩 연구실

임베디드 시스템과 시스템온칩 분야 연구를 진행하고 있다.

1. 임베디드 시스템 분야
 
본 연구실에서는 Transistor 수준에서의 저전력 모듈 설계 뿐 아니라 시스템 수준 전력관리에 필요한 인터페이스 개발과 다양한 전력관리 기법에 대한 연구를 수행하고 있다.
 

2. 시스템온칩(System-on-Chip)분야
 
시스템 온 칩 설계뿐만 아니라 고속 시스템온칩 검증 방법론 및 최적화 등 다양한 분야의 연구 및 개발을 진행하고 있으며, 특히 시스템온칩에 적용될 수 있는 통신용 하드웨어 IP와 고성능 저전력 Interconnect 및 차세대 프로세서 구조에 대한 연구와 Co-Verification 검증 기법연구를 하고있다.
그밖에 멀티미디어 및 통신 분야 응용에 대한 연구로 H.264/AVC나 HEVC 등의 멀티미디어 코덱의 효과적인 구현이나 LDPC, BCH 오류정정 부호의 디코더를 최적 구현하기 위한 OpenMP, CUDA 및 OpenCL 기반 병렬화된 소프트웨어 및 하드웨어/소프트웨어 Co-Design에 관한 연구도 수행하고 있다. 
마지막으로 고신뢰성 열차 자동제어를 위한 DSP 모듈 개발과 시스템온칩에서의 전력 소모량 예측 툴 개발 등을 산학협력 형태로 진행하고 있다.

관심연구분야
시스템온칩 설계, 임베디드 시스템, 모바일 시스템
신소재공학부, 반도체공학과의 사진
정두석

직위부교수

전공분야학습알고리즘, 인공지능프로세서구조

학력RWTH Aachen University 재료공학박사

정두석 홈페이지

정두석

소속신소재공학부, 반도체공학과

직위부교수

학력RWTH Aachen University 재료공학박사

전공분야학습알고리즘, 인공지능프로세서구조

전화번호전화 아이콘02-2220-0385

경력
2018.03 한양대학교 신소재공학부, 부교수
2017.03~2018.02 한국과학기술연구원, 책임연구원
2010.03~2017.02 한국과학기술연구원, 선임연구원
2008.09~2010.02 한국과학기술연구원, 연구원

추가 내용

차세대 컴퓨팅 연구실(Emerging Computing Lab)

본 연구실은 신경모사시스템으로 대표되는 인지컴퓨팅을 위한 알고리즘, 시스템구조, 소자, 재료 등의 멀티스케일 연구를 수행하고 있습니다.
인지컴퓨팅은 메모리를 기반으로 주어진 데이터의 숨은 구조를 스스로 발견해내고 기존의 메모리와 비교하여 데이터를 인지할 수 있는 방법론입니다.
특히 본 연구실은 시간에 따라 변화하는 정보의 구조를 발견할 수 있는 순서학습에 연구의 초첨을 맞추어 연구를 수행하고 있습니다.

Our lab aims at developing neuromorphic systems by means of multiscale research ranging from algorithm to materials at the atomic scale.
Cognitive computing is able to spontaneously find the hidden structure of given data and recall the relevant data stored in the memory.
This way, cognition can be realized. The main focus of our activity is on temporal learning that endows electronic systems with capability to capture the hidden structure of time-varying data.
융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
정예환

직위조교수

전공분야반도체 유연소자, LED소자, 바이오소자

학력University of Wisconsin-Madis on, 전자공학박사

정예환 홈페이지

정예환

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위조교수

학력University of Wisconsin-Madis on, 전자공학박사

전공분야반도체 유연소자, LED소자, 바이오소자

전화번호전화 아이콘02-2220-0364

경력
2021-현재 한양대학교 융합전자공학부, 조교수
2019-2021 Northwestern University, 박사후 연구원
2017-2019 성균관대학교, 박사후 연구원

추가 내용

<< 유연 전자소자 연구실 >>

우리 연구실은 고성능 유연 반도체 소자를 위한 다양한 무기물 반도체 재료(Si, GaAs, GaN, 2D material)를 탐구하고 각종 유연 트랜지스터, 다이오드, LED, 센서, 액추에이터 등을 개발합니다. 이를 이용해 플렉서블 디스플레이, 웨어러블 전자기기, 생체의료기기, VR&AR용 햅틱기기 등의 고성능 유연 전자 플랫폼용 소자 및 시스템 개발을 목표로 하고 있습니다.


1. 차세대 유연 반도체, 센서 및 액추에이터 소자

본 연구실은 하기와 같은 재료를 기반으로 한 각종 유연 소자를 개발합니다.


- 구동소자: Si 기반 MOSFET, GaN 기반 HEMT, GaAs 기반 HBT 및 Schottky diode

- 광소자: GaN 기반 마이크로LED, Si photodiode

- 센서 및 액추에이터: 바이오센서, VR햅틱용 액추에이터, 복합탄성체(composite) 소자


2. 웨어러블 및 생체이식형 전자기기

본 연구실의 유연 전자소자 기술은 인간의 생체 조직(부드럽고 곡선형)과 기존 반도체 소자(단단하고 평면형)간의 기계적 불일치를 극복합니다. 이러한 유연소자 기술을 웨어러블 및 생체이식형 전자기기와 통합하여 가상 현실을 위한 피부 부착형 VR&AR햅틱기기나 뇌-컴퓨터 인터페이스를 위한 생체이식형 모듈과 같은 차세대 전자기기의 개발을 연구합니다.

 

3. 친환경 생분해성 전자기기

기존 전자 제품은 일반적으로 재생 불가능하거나 생분해가 불가능하고 때로는 잠재적으로 독성이 있는 물질로 만들어 집니다. 이러한 기존 반도체 소자의 대체를 위해 본 연구실의 유연 전자소자 개발 기술을 활용해 잠재적으로 독성이 있는 물질을 가장 적게 소비하는 무기 반도체 기반의 고성능 전자소자와 생분해성, 친환경 기판 물질의 통합에 대해 연구합니다.

 

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융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
최정욱

직위조교수

전공분야인공지능 알고리즘 최적화, 인공지능 가속기 설계

학력University of Illinois at Urbana-Champaign 전기-컴퓨터 공학과 박사

최정욱 홈페이지

최정욱

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위조교수

학력University of Illinois at Urbana-Champaign 전기-컴퓨터 공학과 박사

전공분야인공지능 알고리즘 최적화, 인공지능 가속기 설계

전화번호전화 아이콘02-2220-2352

경력
2015 ~ 2019 Research Staff Member at IBM TJ Watson Research Center
2019~ 현재 한양대학교 융합전자공학부 조교수
융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
윤기중

직위조교수

전공분야선형대수, 인공지능개론, 확률통계론

학력The University of Texas at Austin 전기컴퓨터공학 박사

윤기중 홈페이지

윤기중

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위조교수

학력The University of Texas at Austin 전기컴퓨터공학 박사

전공분야선형대수, 인공지능개론, 확률통계론

전화번호전화 아이콘02-2220-2351

경력
2019 ~ 현재 한양대학교 융합전자공학부 조교수

추가 내용

뉴로 인공지능 연구실

구조 (structure)는 과학과 공학 분야에 스며들어 다양한 형태로 나타납니다분자 구조나 교통망과 같은 일부 구조는 쉽게 관찰할 수 있지만생물학적 신경망공간 구조인과 그래프다양한 센서의 신호 간 잠재적 상호작용과 같은 구조는 쉽게 드러나지 않거나 측정하기 어렵습니다.

우리 연구실에서는 기하학적 딥러닝의 광범위한 영역인 그래프 신경망과 생성 모델에 중점을 두고 다양한 과학공학 및 현실 세계의 문제를 해결하는 것을 목표로 합니다.

융합전자공학부, 반도체공학과의 사진
권대웅

직위조교수

전공분야반도체소자, 공정

학력서울대학교 공학박사,전자공학

권대웅 홈페이지

권대웅

소속융합전자공학부, 반도체공학과

직위조교수

학력서울대학교 공학박사,전자공학

전공분야반도체소자, 공정

전화번호전화 아이콘02-2220-0356

경력
2023-현재 한양대학교 융합전자공학부 조교수
2019-2023 인하대학교 전기공학과 조교수
2019-2019 Intel (CA, USA), Senior engineer
2017-2019 UC Berkeley EECS (semiconductor device Lab.), Post doc. & research scientist
2005-2014 삼성반도체, 책임연구원

추가 내용

우리 연구실은 산업용 반도체 소자 개발을 목표로 실리콘 기반 시스템메모리 반도체 연구를 진행하고 있습니다차세대 저전력 로직 소자와 메모리 소자의 재료 설계구조 및 공정 디자인 뿐만 아니라 제작 (fabrication), 측정분석모델링 등 반도체 소자 개발 전반에 걸친 다양한 연구를 수행 중입니다또한신 물질을 활용하여 차세대 로직메모리인공지능 반도체 및 센서 소자 개발도 수행하고 있습니다.

 

-주요 연구분야

 

1. 차세대 저전력 로직 소자 및 공정 개발

2. 차세대 메모리 (SRAM, DRAM, NAND flash memory) 소자 및 공정 개발

3. 인공지능 반도체 시스템 개발

4. CMOS image sensor, gas sensor

5. Device modeling (TCAD & compact modeling)

 


 

Fabricated devices by our group

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