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<< 차세대 화합물 반도체 응용연구실 >>

다양한 화합물 나노반도체를 기반으로 차세대 메모리,  전력소자(SBD, HEMT), 에너지 하베스팅 소자 및 하이브리드 플렉시블 전자소자(센서 및 환경) 개발 및 응용 연구를 진행하고 있다.

1. 차세대 메모리 소자 및 열방출 설계

페로브스카이트 및 산화물을 기반으로 저항변화 스위치 소자를 개발하고 있으며,  이를 바탕으로 멤리스터등 인공지능반도체 접목에 관한 연구 진행하고 있음.

아울러 고집적화된 메모리소자의 최적 열방출 구조를 설계하고 COMSOL등을 이용한 해석 진행.

2. 와이드밴드갭 파워소자

질화물 및 SiC 박막을 이용한 SBD 및 HEMT소자를 제작하고,  누설전류를 줄이기위한 다양한 공정기술을 개발하고 있음.

3.  나노반도체 기반의 Energy Harvesting

화합물 반도체 및 산화물기반  나노구조체를 활용한 나노제너레이터 및 압전소자  효율 향상 기술 개발.

바이오, 센서등에 응용하기 위해 모색.

4. Self-powered  Sensor

페로브스카이트 재료를 활용한 자발전력 광검출기등  센서 소자 제작 및 유연 전자소자  적용 기술 개발.

5. ESG/나노재료 트랜스터 응용

나노재료 합성 및 환경분야 광촉매, 오염물질 제거에 대한연구를 진행하고 있으며, 나노구조체의 전사 방법을 개발하여 다양한 광전자소자에 응용진행.

※ 관심연구분야

인공지능반도체, 파워소자, 에너지 하베스팅, 전자소자, 유연센서소자, 전사기술

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<< 유연 전자소자 연구실 >>

우리 연구실은 고성능 유연 반도체 소자를 위한 다양한 무기물 반도체 재료(Si, GaAs, GaN, 2D material)를 탐구하고 각종 유연 트랜지스터, 다이오드, LED, 센서, 액추에이터 등을 개발합니다. 이를 이용해 플렉서블 디스플레이, 웨어러블 전자기기, 생체의료기기, VR&AR용 햅틱기기 등의 고성능 유연 전자 플랫폼용 소자 및 시스템 개발을 목표로 하고 있습니다.

1. 차세대 유연 반도체, 센서 및 액추에이터 소자

본 연구실은 하기와 같은 재료를 기반으로 한 각종 유연 소자를 개발합니다.

- 구동소자: Si 기반 MOSFET, GaN 기반 HEMT, GaAs 기반 HBT 및 Schottky diode

- 광소자: GaN 기반 마이크로LED, Si photodiode

- 센서 및 액추에이터: 바이오센서, VR햅틱용 액추에이터, 복합탄성체(composite) 소자

2. 웨어러블 및 생체이식형 전자기기

본 연구실의 유연 전자소자 기술은 인간의 생체 조직(부드럽고 곡선형)과 기존 반도체 소자(단단하고 평면형)간의 기계적 불일치를 극복합니다. 이러한 유연소자 기술을 웨어러블 및 생체이식형 전자기기와 통합하여 가상 현실을 위한 피부 부착형 VR&AR햅틱기기나 뇌-컴퓨터 인터페이스를 위한 생체이식형 모듈과 같은 차세대 전자기기의 개발을 연구합니다.

3. 친환경 생분해성 전자기기

기존 전자 제품은 일반적으로 재생 불가능하거나 생분해가 불가능하고 때로는 잠재적으로 독성이 있는 물질로 만들어 집니다. 이러한 기존 반도체 소자의 대체를 위해 본 연구실의 유연 전자소자 개발 기술을 활용해 잠재적으로 독성이 있는 물질을 가장 적게 소비하는 무기 반도체 기반의 고성능 전자소자와 생분해성, 친환경 기판 물질의 통합에 대해 연구합니다.